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  • CXL (Compute Express Link)

    2025.08.15 by 셈컨

  • HBM

    2025.08.12 by 셈컨

  • 패키징 공정

    2025.08.07 by 셈컨

  • 테스트 공정

    2025.08.07 by 셈컨

  • 금속배선 공정

    2025.08.06 by 셈컨

  • 증착 공정

    2025.08.03 by 셈컨

  • 식각 공정

    2025.08.02 by 셈컨

  • 포토 공정 1

    2025.08.01 by 셈컨

CXL (Compute Express Link)

안녕하십니까.이번 포스트에서는 차세대 반도체 중 CXL에 대해서 알아보도록 하겠습니다. 1) CXL(Compute Express Link) 메모리란?: CPU, GPU, 스토리지 등의 다양한 장치를 묶어 보다 빠른 연산 처리를 가능하게 하는 차세대 인터페이스 HBM과 비교하여 설명하자면 HBM은 고속도로를 만들어 데이터가 빠르게 왔다갔다 할 수 있게 하는 것이라면,CXL은 여러 도로를 연결하여 용량을 확장한 것으로 이해할 수 있습니다. 따라서 다수의 장치를 하나의 인터페이스로 통합해 여러 장치가 한 번에 연결되게 함으로써 데이터 처리 속도를 높이고,시스템 용량과 대역폭을 확장할 수 있는 기반을 제공합니다. 2) CXL 등장 배경 AI 반도체에서 단순히 많은 반복 연산을 필요로 하는 것을 넘어, 다수의 반..

차세대 반도체 2025. 8. 15. 15:00

HBM

안녕하십니까.이번 포스트에서는 HBM에 대해서 알아보도록 하겠습니다.1) HBM(High Bandwidth Memory)이란?: 고대역폭 메모리 반도체, 즉 말 그대로 넓은 대역폭을 가진 메모리 반도체 입니다. 2) HBM 등장 배경 현재까지도 대부분의 컴퓨터는 폰 노이만 구조*를 기반으로 합니다. 그러나 폰 노이만 구조의 문제가 있는데, 바로 병목 현상(Bottleneck)입니다.병목 현상이란 연산장치 (CPU)와 메모리 간의 데이터 전송이 지연되는 현상입니다. 병목 현상을 해결하기 위한 방법은 다음과 같은 것들이 있습니다.① 전송 속도 증가② 대역폭 증가 AI 시대에는 처리해야 할 데이터 양이 폭발적으로 증가하면서, 기존 메모리 반도체의 한계를 극복하기 위해 HBM이 등장했습니다.이름 그대로 고대..

차세대 반도체 2025. 8. 12. 15:00

패키징 공정

이번 포스트에서는 8대 공정 중 패키징 공정에 대해서 알아보도록 하겠습니다. 1) 패키징 공정이란?: 반도체 칩이 외부와 신호를 주고 받을 수 있도록 길을 만들고 안전하게 보호 받는 형태로 만드는 공정입니다.2) 패키징 공정 과정 1. 웨이퍼 절단 (≒ Wafer Sawing, Dicing): 각 칩을 Scribe Line을 따라 다이아몬드 톱 / 레이저 광선 / 플라즈마를 이용해 절단 2. 칩 접착: 칩을 리드프레임 또는 PCB(Printed Circuit Board)와 같은 패키지 기판에 접착 3. Wire Bonding (금속 연결): 칩과 기판을 연결 Wire Bonding을 진행하는 방법은 다음과 같이 발전해왔습니다.① Wire Bonding (와이어 본딩): 미세 와이어를 사용하여 기판에..

반도체8대공정 2025. 8. 7. 15:00

테스트 공정

이번 포스트에서는 8대 공정 중 EDS 공정에 대해서 알아보도록 하겠습니다. 1) 테스트 공정이란?: 전기적 특성 검사를 통해 개별 칩 및 패키지 된 소자의 제품 규격을 만족하는지 확인하는 공정입니다. 2) 웨이퍼 단계 테스트 (≒ EDS(Electrical Die Sorting) 테스트): Front End 공정이 완료된 웨이퍼 상태에서 전기적 특성 검사를 통해 칩이 양품인지 불량품인지를 선별 EDS 테스트 과정은 다음과 같습니다.1. ET Test & WBI (Electrical Test & Wafer Burn In)ET Test는 개별 소자들에 대해 전기적 직류 전압, 전류 특성의 파라미터를 테스트 하여 동작 여부를 판별합니다.WBI는 웨이퍼에 일정한 열을 가하고, AC/DC 전압을 가해 제품의 ..

반도체8대공정 2025. 8. 7. 15:00

금속배선 공정

이번 포스트에서는 8대 공정 중 금속배선 공정에 대해서 알아보도록 하겠습니다. 1) 금속배선 공정이란?: 반도체의 회로 패턴을 따라서 전기가 흐를 수 있는 금속 배선을 만드는 공정입니다. 2) Silicide / Salicide Silicide(실리사이드)는 Metal과 Si(실리콘) 사이 쇼트키 접촉을 방지하기 위한 것입니다.금속배선 공정 시 실리사이드 층 없이 금속막을 증착하게 되면 쇼트키 접촉이 되어 트랜지스터가 정상적으로 동작하지 않게 됩니다.따라서 실리사이드 층을 통해 Metal과 Si(실리콘) 사이 Ohmic Contact이 되도록 하는 것입니다. 그렇다면 Salicide(살리사이드)는 무엇일까요?Salicide는 Self-Alignment(자가정렬)과 Silicide의 합성어입니다.즉, 실리..

반도체8대공정 2025. 8. 6. 15:00

증착 공정

이번 포스트에서는 8대 공정 중 증착 공정에 대해서 알아보도록 하겠습니다. 1) 증착공정이란?: 열에너지 또는 전기적 에너지를 사용하여 박막을 증착하는 공정입니다. 2) Step Coverage: 증착시 위치에 따른 박막 두께의 비율 ① Side Wall Step Coverage: 윗면과 옆면의 박막 두께 비율 ② Bottom Step Coverage: 윗면과 바닥면의 박막 두께 비율 Step Coverage가 나쁜 경우 Void 등의 Issue가 발생할 수 있습니다.3) PVD / CVD PVDCVD증착 원리물리적으로 박막 증착가스나 전구체의 전리 반응반응온도비교적 저온고온Step Coverage비교적 나쁨우수 1. PVD (Physical Vapor Deposition) 1.1. Evapora..

반도체8대공정 2025. 8. 3. 15:00

식각 공정

이번 포스트에서는 8대 공정 중 식각 공정에 대해서 알아보도록 하겠습니다. 1) 식각 공정이란?: 필요한 패턴을 제외한 나머지 부분을 물리적/화학적으로 제거하는 공정입니다. 2) 식각 공정의 주요 변수1. Etch Rate (식각률): 일정 시간 동안 식각이 일어난 정도 2. Selectivity (선택비): 식각 하지 않아야 하는 물질의 식각 속도에 대한 식각 해야 하는 물질의 식각 속도의 비 3. Uniformity (균일도): 식각의 균일한 정도3) 습식 식각 / 건식 식각 습식 식각건식 식각방법Chemical SolutionPlasma응용전면 식각 및 세정미세 패턴 식각원리Isotropic Etching (등방성)Anisotropic Etching (비등방성)장점높은 선택비 / 저비용미세 패턴 식..

반도체8대공정 2025. 8. 2. 15:00

포토 공정 1

이번 포스트에서는 8대 공정 중 포토 공정에 대해서 알아보도록 하겠습니다. 1) 포토공정이란?: 빛을 이용하여 마스크에 형성된 패턴을 웨이퍼 상에 형성시키는 것입니다. 2) 포토 공정 과정1. PR Coating: PR(Photo Resist)을 웨이퍼 위에 도포 1.1. PR(Photo Resist)란?: 빛에 노출되면 물리적/화학적 구조가 변화하는 감광 물질 ※ 그렇다면 왜 PR을 도포하는 것일까요?포토 공정은 앞서 말했듯이 빛을 이용하여 웨이퍼 상에 회로를 형성하는 공정입니다.따라서 감광 물질인 PR을 사용하면 웨이퍼 위에 쉽게 패턴을 형성할 수 있게 됩니다. 자세한 내용은 뒤로 하고, 사실 PR Coating 전에 하나의 단계가 더 존재합니다.PR과 웨이퍼 사이에 접착력을 높여주기 위한 Prim..

반도체8대공정 2025. 8. 1. 15:00

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