손그림으로 알아보는 반도체

1) CMOS(Complementary MOSFET)란?: NMOS와 PMOS를 접합  CMOS의 경우 인버터(Inverter)로 동작을 합니다.Depletion NMOS와 Enhancement NMOS를 사용한 인버터와 비교할 때 훨씬 좋은 스위칭 동작을 하는 인버터입니다.이 부분에 대해서 이후에 기회가 된다면 같이 정리해보도록 하겠습니다! 덧붙여, CMOS의 경우 SRAM이나 마이크로프로세서 등 집적회로를 구성하는데 사용됩니다. 2) CMOS의 동작그렇다면 어떻게 인버터로 동작을 하는지에 대해 말씀드리도록 하겠습니다. 1. '0' 입력Vin에 0 전압을 인가해주면 NMOS와 PMOS의 게이트에 동일하게 0 전압이 인가되고,이에 따라 NMOS는 OFF, PMOS는 ON 상태가 됩니다.NMOS가 OFF가..

반도체소자 2024. 12. 16. 10:00

1) NAND Flash란?: 비휘발성 메모리 앞선 포스트에서 공부하였던 DRAM의 경우는 휘발성 메모리로 전원이 끊어지면 저장된 데이터가 휘발되지만Flash Memory의 경우 전원이 끊어져도 저장된 데이터를 보존하는 메모리입니다. Flash Memory는 MOSFET과 플로팅 게이트(Floating Gate)가 합쳐진 구조라 볼 수 있습니다.이때 플로팅 게이트에 데이터가 반영구적으로 저장됩니다.여기서 Flash Memory는 셀이 직렬로 배열된 NAND Flash와 셀이 병렬로 배열된 NOR Flash로 나눌 수 있습니다.2) Floating Gate Transistor란?Floating Gate Transistor는 다음과 같은 구조로 이루어져 있습니다.이때 Tunnel Oxide 두께는 최대 8~..

반도체소자 2024. 11. 19. 09:00

1) DRAM이란?: Dynamic Random Access Memory → Dynamic : 시간이 지나면 데이터가 사라지기 때문에 Refresh가 필요→ Random Access : 각 비트에 대해 독립적으로 접근(읽기 및 쓰기)하여 데이터의 위치에 상관없이 접근하는 데 동일한 시간 소요2) DRAM 종류1. SDR SDRAM (Single Data Rate): Rising Edge에 하나의 데이터 전송 2. DDR SDRAM (Double Dara Rate): Rising/Falling Edge에 데이터 전송 (한 신호에 두 개의 데이터 전송) 3. LPDDR (Low Power DDR): 저전력 DDR→ Mobile Device에서 사용 4. GDDR (Graphics DDR): 데이터버스의 읽기..

반도체소자 2024. 11. 15. 20:00

https://focus-semiconductor.tistory.com/5 Secondary Effect (1)1) Mobility Reduction Effect with Gate Voltage: 수직전계로 인한 이동도 (Mobility) 감소 위의 그림에서 보이는 것과 같이 게이트와 드레인에 Positive 전압을 인가하면전자가 소스에서 드레인으로 움직이는 과focus-semiconductor.tistory.comhttps://focus-semiconductor.tistory.com/6 Secondary Effect (2)지난 포스트에 이어 Secondary Effect에 대해 공부해보도록 하겠습니다. https://focus-semiconductor.tistory.com/5 Secondary Effe..

반도체공학 2024. 11. 11. 11:00

지난 포스트에 이어 Secondary Effect에 대해 공부해보도록 하겠습니다. https://focus-semiconductor.tistory.com/5 Secondary Effect (1)1) Mobility Reduction Effect with Gate Voltage: 수직전계로 인한 이동도 (Mobility) 감소 위의 그림에서 보이는 것과 같이 게이트와 드레인에 Positive 전압을 인가하면전자가 소스에서 드레인으로 움직이는 과focus-semiconductor.tistory.com 1)  Subthreshold Effect: 문턱전압보다 낮은 전압에서 전류가 흐르는 현상이상적인 모스펫 소자에서는 문턱전압보다 게이트 전압이 큰 경우에 채널이 형성되며 전류가 흐르게 되지만실제로는 문턱전압보다..

반도체공학 2024. 11. 4. 09:00

1) Mobility Reduction Effect with Gate Voltage: 수직전계로 인한 이동도 (Mobility) 감소 위의 그림에서 보이는 것과 같이 게이트와 드레인에 Positive 전압을 인가하면전자가 소스에서 드레인으로 움직이는 과정에서게이트 전압에 의해 전자가 게이트 쪽으로 끌어 당겨지며 Surface Scattering이 발생합니다.이에 따라 이동도가 감소하게 됩니다.2) Mobility Reduction with Drain Voltage: 수평전계로 인한 이동도 (Mobility) 감소이는 속도 포화(Velocity Saturation)에 의해 발생되는 이동도 감소라고 할 수도 있습니다.캐리어의 드리프트 속도식을 살펴보면 전계가 커짐에 따라 드리프트 속도 커져야 하지만,실제로는..

반도체공학 2024. 10. 11. 09:00

1) MOSFET 구조- Enhancement-Mode NMOS: Vgs > Vt >0 : Normally Off- Depletion-Mode NMOS: Vt : Normally On채널이 형성되어 있기 때문에 항상 On인 소자입니다. - Enhancement-Mode PMOS: Vt  - Depletion-Mode PMOS: Vt > 0NMOS와 마찬가지로 채널이 형성되어 있기 때문에 항상 On인 소자입니다.2) MOSFET 동작1. Vgs 드레인에 전압을 인가하게 되면 PN Junction에 의해 Reverse Bias가 걸리고,이에 따라 드레인 쪽의 공핍층 (Depletion Layer)가 증가하게 됩니다.그러나 게이트 전압이 문턱 전압보다 낮기 때문에 채널은 형성되지 않습니다. 2. Vgs > V..

반도체공학 2024. 9. 27. 20:00

안녕하십니까이번주는 MOS Capacitor에 대하여 알아보도록 하겠습니다! 1) MOS Capacitor란?MOSFET에 대해 쉽게 이해하기 위해서는 MOS 커패시터를 이해할 필요가 있습니다.MOS 커패시터는 MOSFET의 핵심인 Metal(금속)-Oxide(산화막)-Semiconductor(반도체)로 형성된 간단한 평행판 커패시터 입니다.2) MOS Capacitor의 에너지 밴드 (Accumulation, Depletion, Inversion) 1. Negative Bias 인가 - Accumulation (축적)Negative 전압에 의해 정공이 산화막-반도체 계면으로 이동하면서 축적반도체 표면에서의 정공 농도가 벌크 영역에서의 정공 농도보다 높다.   2. Positive Bias 인가  - D..

반도체공학 2024. 9. 19. 09:36