손그림으로 알아보는 반도체

https://focus-semiconductor.tistory.com/5 Secondary Effect (1)1) Mobility Reduction Effect with Gate Voltage: 수직전계로 인한 이동도 (Mobility) 감소 위의 그림에서 보이는 것과 같이 게이트와 드레인에 Positive 전압을 인가하면전자가 소스에서 드레인으로 움직이는 과focus-semiconductor.tistory.comhttps://focus-semiconductor.tistory.com/6 Secondary Effect (2)지난 포스트에 이어 Secondary Effect에 대해 공부해보도록 하겠습니다. https://focus-semiconductor.tistory.com/5 Secondary Effe..

반도체공학 2024. 11. 11. 11:00

지난 포스트에 이어 Secondary Effect에 대해 공부해보도록 하겠습니다. https://focus-semiconductor.tistory.com/5 Secondary Effect (1)1) Mobility Reduction Effect with Gate Voltage: 수직전계로 인한 이동도 (Mobility) 감소 위의 그림에서 보이는 것과 같이 게이트와 드레인에 Positive 전압을 인가하면전자가 소스에서 드레인으로 움직이는 과focus-semiconductor.tistory.com 1)  Subthreshold Effect: 문턱전압보다 낮은 전압에서 전류가 흐르는 현상이상적인 모스펫 소자에서는 문턱전압보다 게이트 전압이 큰 경우에 채널이 형성되며 전류가 흐르게 되지만실제로는 문턱전압보다..

반도체공학 2024. 11. 4. 09:00

1) Mobility Reduction Effect with Gate Voltage: 수직전계로 인한 이동도 (Mobility) 감소 위의 그림에서 보이는 것과 같이 게이트와 드레인에 Positive 전압을 인가하면전자가 소스에서 드레인으로 움직이는 과정에서게이트 전압에 의해 전자가 게이트 쪽으로 끌어 당겨지며 Surface Scattering이 발생합니다.이에 따라 이동도가 감소하게 됩니다.2) Mobility Reduction with Drain Voltage: 수평전계로 인한 이동도 (Mobility) 감소이는 속도 포화(Velocity Saturation)에 의해 발생되는 이동도 감소라고 할 수도 있습니다.캐리어의 드리프트 속도식을 살펴보면 전계가 커짐에 따라 드리프트 속도 커져야 하지만,실제로는..

반도체공학 2024. 10. 11. 09:00

1) MOSFET 구조- Enhancement-Mode NMOS: Vgs > Vt >0 : Normally Off- Depletion-Mode NMOS: Vt : Normally On채널이 형성되어 있기 때문에 항상 On인 소자입니다. - Enhancement-Mode PMOS: Vt  - Depletion-Mode PMOS: Vt > 0NMOS와 마찬가지로 채널이 형성되어 있기 때문에 항상 On인 소자입니다.2) MOSFET 동작1. Vgs 드레인에 전압을 인가하게 되면 PN Junction에 의해 Reverse Bias가 걸리고,이에 따라 드레인 쪽의 공핍층 (Depletion Layer)가 증가하게 됩니다.그러나 게이트 전압이 문턱 전압보다 낮기 때문에 채널은 형성되지 않습니다. 2. Vgs > V..

반도체공학 2024. 9. 27. 20:00

안녕하십니까이번주는 MOS Capacitor에 대하여 알아보도록 하겠습니다! 1) MOS Capacitor란?MOSFET에 대해 쉽게 이해하기 위해서는 MOS 커패시터를 이해할 필요가 있습니다.MOS 커패시터는 MOSFET의 핵심인 Metal(금속)-Oxide(산화막)-Semiconductor(반도체)로 형성된 간단한 평행판 커패시터 입니다.2) MOS Capacitor의 에너지 밴드 (Accumulation, Depletion, Inversion) 1. Negative Bias 인가 - Accumulation (축적)Negative 전압에 의해 정공이 산화막-반도체 계면으로 이동하면서 축적반도체 표면에서의 정공 농도가 벌크 영역에서의 정공 농도보다 높다.   2. Positive Bias 인가  - D..

반도체공학 2024. 9. 19. 09:36

안녕하십니까.저번 PN Junction에 이어 이번 포스트에서는 MS Junction에 대해 알아보도록 하겠습니다!포스트 내용 중 오류가 있을 경우 댓글로 말씀해주시면 감사하겠습니다! 1) MS(Metal-Semiconductor) Junction이란?: Metal(금속)과 Semiconductor(반도체)의 접합 앞선 포스트에서 설명한 PN Junction의 경우 동종접합이지만,MS Junction의 경우 금속-반도체 접합이기에 이종접합입니다. 이렇게 금속과 반도체를 접합시킬 경우,접촉면에서 크게 두 가지의 접촉 현상이 발생합니다.2) Schottky Contact (쇼트키 접촉): 금속과 반도체의 일함수 차이에 의해 Schottky Barrier (쇼트키 장벽)이 형성되는 접촉 현상 → 금속의 일함수..

반도체공학 2024. 9. 12. 09:00

안녕하십니까대학생 기간 동안 배웠던 반도체 관련 지식을 하나씩 정리하고 관련 내용을 많은 사람들과 공유하고자 포스트를 작성하게 되었습니다.내용 중 오류가 있는 경우 댓글로 알려주신다면 감사하겠습니다! 그렇다면 우선 PN Junction에 대해 알아보도록 하겠습니다. 1) PN Junction (PN 접합)이란? : P type 반도체와 N type 반도체를 접합시킨 구조※ 금속학적 접합: n영역과 p영역의 접촉면이 분리되는 계면 2) 공핍 영역 (Depletion Region)이란?: 유동 전하가 고갈된 영역 이렇게 이야기 하면 이해하기 어려울 수 있다고 생각합니다.저 역시 그랬습니다.그렇기에 다시 자세하게 풀어서 설명해보도록 하겠습니다.위에서 언급한 금속학적 접합, 즉 P type 반도체와 N type..

반도체공학 2024. 9. 5. 09:00